IBM 和三星新晶体管技术可以突破 1nm 以下芯片

IBM 和 Samsung 在美国旧金山举行的 IEDM 国际电子元件会议上，共同发表名为 Vertical Transport Field Effect Transistors（VTFET）的新芯片设计，是把晶体管以垂直方式推叠，电流也会以垂直的方式通过，与今天通常是以水平方式摆放的不一样。 但为什么要这样设计呢？ 据指有两个主要好处，一是个这能突破摩尔定律对于1nm芯片设计的的瓶颈，而更重要的是提升电流并可以减少能源的消耗。

据计算，VTFET在与FinFET晶体管设计相比，能把处理器速度提升两倍，但同时能耗就减少了85%。 以实用性来说，手机的续航力会最终延长至充一次、使用一周！ 甚至如果用于挖矿 cryptomining 的用途，就能大大减少区块链、加密货币等技术对环境的影响。

不过这次IBM和三星并没有透露什么时候会以商用产品上应用VTFET，只是市场上才不只有他们拥有突破1nm的技术，因为Intel在7月的时候就表示已经完成设计，同时更目标在2024年就开始推出「埃」时代的芯片。